Datasheet下载- 型号： VS-MBRD650CTPBF
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-MBRD650CTPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-MBRD650CTPBF价格参考。VishayVS-MBRD650CTPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VS-MBRD650CTPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VS-MBRD650CTPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的型号 VS-MBRD650CTPBF 是一款二极管整流器阵列，属于肖特基整流器系列。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于高效的电压转换电路中，作为续流二极管或同步整流器的替代品，降低功耗并提高效率。 - 线性稳压器：在低压降（LDO）稳压器中用作保护或箝位二极管。 2. 电池管理 - 电池反接保护：防止电池极性接反时损坏电路。 - 多电池组切换：在多电池系统中，用于选择性地连接或断开电池组。 3. 信号隔离与保护 - 负载开关：在负载开关电路中提供快速开关和低损耗性能。 - ESD 保护：利用其快速响应特性，保护敏感电路免受静电放电影响。 4. 电机驱动与控制 - 续流二极管：在电机驱动电路中，用于吸收感性负载产生的反向电动势。 - 桥式整流：在小型电机或继电器驱动中实现交流到直流的转换。 5. 汽车电子 - 车载充电器：用于高效整流，支持汽车环境下的宽温范围工作。 - LED 驱动：为高亮度 LED 提供稳定的电流输出，确保亮度一致性和可靠性。 6. 消费类电子产品 - 便携设备：如移动电源、蓝牙设备等，用于高效能量传输和保护。 - 音频设备：在音频放大器中用作箝位或保护二极管。 特点总结 VS-MBRD650CTPBF 具有低正向压降（典型值 0.4V）、高浪涌电流能力（IFSM = 37A）以及快速恢复时间（trec ≤ 5μs），非常适合需要高效、低损耗和高可靠性的应用场合。其封装形式（SOT-23-6）小巧紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK肖特基二极管与整流器 6.0 Amp 50 Volt |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors VS-MBRD650CTPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VS-MBRD650CTPBFVS-MBRD650CTPBF |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 650mV @ 3A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 50V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 其它名称 | VS-MBRD650CTPBF-ND |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK (TO-252AA) |
| 峰值反向电压 | 50 V |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 100 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 490 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向电压下降 | 0.7 V |
| 正向连续电流 | 3 A |
| 热阻 | 3°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 50V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 3A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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