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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-1N1187由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-1N1187价格参考。VishayVS-1N1187封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载VS-1N1187参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VS-1N1187 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VS-1N1187 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款高压硅整流二极管(属轴向引线玻璃封装),额定反向重复峰值电压(VRRM)高达 2000 V,平均正向整流电流(IF(AV))为 1.5 A,正向压降(VF)典型值约 1.4 V(在 1.5 A 时),具备良好的浪涌电流承受能力(IFSM ≥ 50 A)和低反向漏电流。 其主要应用场景包括: - 高压小功率AC/DC整流电路:如工业控制电源、仪表电源、继电器驱动电源等需耐高压但电流不大的场合; - 电容输入式滤波整流:适用于输入电压较高(如市电经变压器升压后)的线性电源次级整流; - 高压脉冲/开关电源辅助供电电路:为栅极驱动器、偏置电源或保护电路提供隔离整流; - 电池充电器与适配器:尤其适用于宽输入电压范围(如 85–265 VAC)的低成本离线式充电器次级整流; - 固态继电器(SSR)及光耦输入级保护整流:利用其高耐压特性实现交流信号方向整流与隔离。 该器件因玻璃封装具备良好高温稳定性与气密性,适合在-65℃~+175℃环境工作,常用于对可靠性要求较高、空间受限且无需同步整流的中高压、中小电流整流场景。注意:现代高效率开关电源中多被快恢复或肖特基二极管替代,但在成本敏感、EMI要求严苛或需高dv/dt耐受性的传统设计中仍有应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 300V 35A DO203AB整流器 300 Volt 35 Amp |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors VS-1N1187- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VS-1N1187VS-1N1187 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.7V @ 110A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10mA @ 300V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Standard Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-203AB |
| 其它名称 | *1N1187 |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 反向电压 | 300 V |
| 反向电流IR | 10000 uA |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 底座,接线柱安装 |
| 安装风格 | Stud |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-203AB,DO-5,接线柱 |
| 封装/箱体 | DO-203AB (DO-5) |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 190°C |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 最大工作温度 | + 190 C |
| 最大浪涌电流 | 400 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向电压下降 | 1.7 V at 110 A |
| 正向连续电流 | 35 A |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 300V |
| 电流-平均整流(Io) | 35A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |