Datasheet下载- 型号： VS-1N1186R
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-1N1186R由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-1N1186R价格参考。VishayVS-1N1186R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VS-1N1186R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VS-1N1186R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VS-1N1186R（Vishay Semiconductor Diodes Division）是一款高压、高电流硅整流二极管，典型参数包括：反向重复峰值电压（VRRM）高达1000 V，平均正向整流电流（IF(AV)）达35 A（带散热器），正向压降（VF）约1.15 V（在35 A时），反向恢复时间（trr）约2 μs（典型值），采用TO-204AA（DO-5）金属外壳封装，具备优异的热稳定性和浪涌承受能力（IFSM可达350 A）。 其主要应用场景包括： 1. 工业电源整流：用于大功率线性电源、电镀电源、电解电源及焊接设备中的主整流桥臂； 2. UPS与变频器：在不间断电源和中大功率变频驱动系统中作输入AC/DC整流或续流二极管； 3. 电机驱动与直流母线保护：在直流调速系统中实现能量回馈或作为钳位/续流元件； 4. 高可靠性领域：因金属封装和高结温（TJ=200°C），适用于高温、高振动环境（如轨道交通、石油钻探设备）。 需注意：该器件为自然冷却或强制风冷设计，实际使用中必须配合足够面积的散热器，并确保机械紧固与热界面材料良好接触，以保障长期可靠运行。不推荐用于高频开关应用（如SMPS次级整流），因其反向恢复特性不如快恢复或肖特基二极管。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | VS-1N1186R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.7V @ 110A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10mA @ 200V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 供应商器件封装 | DO-203AB |
| 其它名称 | *1N1186R |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳 | DO-203AB，DO-5，接线柱 |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 190°C |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 200V |
| 电流-平均整流(Io) | 35A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
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