Datasheet下载- 型号： VNV20N07TR-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VNV20N07TR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VNV20N07TR-E价格参考。STMicroelectronicsVNV20N07TR-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VNV20N07TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VNV20N07TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VNV20N07TR-E 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款高侧N沟道MOSFET配电开关，专用于中等功率负载的智能电源管理。其典型应用场景包括：汽车电子系统（如车灯控制、座椅调节电机、风扇驱动、HVAC执行器等），符合AEC-Q100 Grade 1标准，具备过流、过热、短路及反向电池保护功能；工业自动化设备（如PLC输出模块、传感器供电、继电器替代方案），支持宽输入电压范围（5.5 V–40 V），可直接由12 V/24 V车载或工业电源供电；消费类与家电产品（如智能家电的电机启停控制、USB-C供电路径管理、LED照明调光驱动），凭借低导通电阻（RDS(on) ≈ 35 mΩ @ VGS=10 V）和快速开关响应（tON/tOFF < 1 µs），提升能效与动态响应；此外，该器件集成诊断反馈引脚（FAULT），便于微控制器实时监控故障状态，适用于需功能安全（如ASIL-B兼容设计）的冗余供电系统。其SO-8封装兼顾散热性与PCB布局灵活性，广泛用于空间受限但要求高可靠性与保护完备性的嵌入式配电节点。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC PWR MOSFET M0 70V 20A PWRSO10 |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | VNV20N07TR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OMNIFET™ |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF65696?referrer=70071840 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 导通电阻 | 50 毫欧 |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 600 |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 20A |
| 电流-输出/通道 | - |
| 类型 | 低端 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
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