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- 型号： VMO40-05P1
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMO40-05P1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMO40-05P1价格参考。IXYSVMO40-05P1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMO40-05P1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMO40-05P1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VMO40-05P1 是一款由 Vishay（威世）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（单个器件），属于“晶体管 - FET，MOSFET - 单个”类别。其典型参数包括：漏源电压 VDS = 50 V，连续漏极电流 ID（TC=25°C）≈ 40 A，导通电阻 RDS(on) 典型值低至 12 mΩ（VGS=10 V），采用 TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具备优良的散热性能与开关效率。 该器件主要应用于中高功率、中低压直流开关场景，典型用途包括： ✅ 开关电源（SMPS）中的同步整流或主开关管（如 DC-DC 降压/升压转换器、POL 模块）； ✅ 电机驱动电路（如 24–48 V 低压直流无刷电机、步进电机的H桥上/下臂驱动）； ✅ 电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关、负载开关及热插拔控制； ✅ 工业控制设备中的固态继电器（SSR）、LED 恒流驱动电源、逆变器输出级； ✅ 通信设备与服务器电源中的高效功率级管理。 其低 RDS(on) 和快速开关特性有助于降低导通损耗与开关损耗，提升系统能效；TO-263 封装便于 PCB 散热设计，适合自动化贴片生产。需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（推荐 VGS ≥ 10 V 以确保充分导通）、添加栅极电阻抑制振荡，并配合散热器或铜箔铺铜以保障温升在安全范围内（结温 ≤ 175°C）。不建议用于线性放大或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH ECO-PAC2 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VMO40-05P1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | ECO-PAC2 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | ECO-PAC2 |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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