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- 型号： VMM1000-01P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMM1000-01P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMM1000-01P价格参考。IXYSVMM1000-01P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMM1000-01P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMM1000-01P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VMM1000-01P 是一款由 Vishay（威世）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用小型SOT-23-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约1.2Ω @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED背光驱动或电池保护电路，利用其双MOSFET结构实现高效同步整流或双向电源路径控制。 2. DC-DC转换器辅助开关：在升压/降压模块中用作同步整流管或高边/低边驱动单元，提升转换效率并减小发热。 3. 逻辑电平转换与信号切换：适用于3.3V/5V系统中I/O接口的电平移位或模拟开关功能（需注意体二极管方向），如USB外设供电控制、传感器使能管理等。 4. 电机驱动（微型）：用于小功率直流有刷电机（如振动马达、风扇）的H桥半桥驱动，配合外部控制逻辑实现正反转或PWM调速。 该器件不适用于大电流（连续ID≤0.5A）、高压（Vds=20V）或高温严苛工业场景，但凭借集成双管、节省PCB面积和简化设计的优势，在空间受限、中低功耗消费类电子产品中具有较高性价比。实际应用中需注意PCB散热设计及栅极驱动稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET MOD PHASE LEG 100V Y3-LI |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VMM1000-01P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 10mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2355nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 800A，10V |
| 供应商器件封装 | Y3-Li |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | Y3-Li |
| 标准包装 | 2 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1000A |
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