Datasheet下载- 型号： UPA2739T1A-E2-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UPA2739T1A-E2-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UPA2739T1A-E2-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSUPA2739T1A-E2-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载UPA2739T1A-E2-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UPA2739T1A-E2-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
瑞萨电子（Renesas Electronics America）的UPA2739T1A-E2-AY是一款MOSFET晶体管，常用于高频、低噪声放大器应用。该器件适用于无线通信系统中的射频（RF）前端模块，如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等短距离无线通信设备。此外，它也可用于射频识别（RFID）、无线传感器网络和便携式通信设备中，作为低噪声放大器（LNA）以提高接收信号的灵敏度。该MOSFET具有良好的高频性能和低功耗特性，适合于需要高效率和高性能的小型无线应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | UPA2739T1A-E2-AY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6050pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 153nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 23A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-HVSON （5.4x5.15） |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 85A （Ta） |
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