Datasheet下载- 型号： TPCP8J01(TE85L,F,M
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPCP8J01(TE85L,F,M由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPCP8J01(TE85L,F,M价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPCP8J01(TE85L,F,M封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPCP8J01(TE85L,F,M参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPCP8J01(TE85L,F,M 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Toshiba |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET MOSFET P-CH/NPN 32V, 6A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPCP8J01 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPCP8J01(TE85L,F,M |
| 产品型号 | TPCP8J01(TE85L,F,M |
| Pd-PowerDissipation | 1.06 W |
| Pd-功率耗散 | 1.06 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 49 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 32 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 90 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 商标 | Toshiba |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 49 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | PS-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 汲极/源极击穿电压 | - 32 V |
| 配置 | Single |
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