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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TPCA8A02-H(TE12LQM由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPCA8A02-H(TE12LQM价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPCA8A02-H(TE12LQM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPCA8A02-H(TE12LQM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPCA8A02-H(TE12LQM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPCA8A02-H(TE12LQ) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET,主要应用于以下场景: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,因其高效率和低导通电阻(Rds(on))特性,有助于提升电源系统的整体效率。 2. 负载开关:用于控制电源供给,如笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中的电源开关,实现低功耗与高效能管理。 3. 马达驱动:在小型电机控制电路中作为开关元件,广泛应用于电动工具、家电及自动化设备中。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电保护电路,保障电池组安全运行,常见于电动交通工具及储能系统。 5. 汽车电子:适用于车载充电系统、车身控制模块等,具备良好的热稳定性和可靠性,适应车载复杂环境。 该器件采用小型封装(如SOP Advance),适合高密度PCB布局,适合中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TPCA8A02-H&lang=en&type=datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TPCA8A02-H(TE12LQM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3430pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.3 毫欧 @ 17A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 34A (Ta) |