Datasheet下载- 型号： TK20N60W,S1VF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK20N60W,S1VF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK20N60W,S1VF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK20N60W,S1VF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK20N60W,S1VF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK20N60W,S1VF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK20N60W, S1VF 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）- 单个 类别，是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。 主要参数特点： - 耐压：600V - 连续漏极电流：20A - 适合高电压和中等功率应用场景 --- 应用场景： 1. 电源转换设备 - 用于开关电源（SMPS）、AC-DC 转换器、DC-DC 转换器中，作为高频开关元件，实现高效能能量转换。 2. 电机驱动与控制 - 在变频器、伺服驱动器或步进电机控制器中，用于功率输出级，控制电机的启停与转速调节。 3. 照明系统 - 应用于 LED 驱动电源、电子镇流器等照明设备中，提供稳定高效的电流控制。 4. 工业自动化设备 - 如 PLC 控制模块、继电器替代电路、工业电源管理模块中，具备良好的导通损耗与开关损耗平衡。 5. 家电产品 - 常见于电磁炉、微波炉、洗衣机等家用电器中的功率控制部分。 --- 优势应用环境： 该器件适用于需要较高耐压（600V）和中等电流（20A）能力的场合，具有较好的热稳定性与可靠性，适合在中高功率开关电路中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1680 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK20N60W,S1VF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK20N60W |
| 产品型号 | TK20N60W,S1VFTK20N60W,S1VF |
| Pd-PowerDissipation | 165 W |
| Pd-功率耗散 | 165 W |
| Qg-GateCharge | 48 nC |
| Qg-栅极电荷 | 48 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 155 毫欧 @ 10A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | TK20N60WS1VF |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 165W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 130 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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