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详细数据请看参考数据手册
- 型号： TFZGTR8.2B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TFZGTR8.2B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TFZGTR8.2B价格参考。ROHM SemiconductorTFZGTR8.2B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TFZGTR8.2B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TFZGTR8.2B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号为TFZGTR8.2B的器件是一款齐纳二极管（Zener Diode），属于单齐纳二极管类别。该器件的齐纳电压为8.2V，常用于电压参考、电压调节和电路保护等应用场景。 TFZGTR8.2B主要适用于以下场景： 1. 电压基准源：在模拟电路或电源管理电路中提供稳定的参考电压，用于比较器、ADC/DAC电路或电源监控模块中。 2. 过压保护：用于保护敏感电子元件免受过高电压的损害，常见于电源输入端或信号输入端作为钳位器件。 3. 电压调节电路：在低功耗、小范围电压调节的场合，作为简单的稳压元件使用，例如在电池供电设备中稳定供电电压。 4. 信号电平转换：在数字或模拟信号处理中限制信号幅度或进行电平偏移。 该器件采用小型表面贴装封装（如SOD-123等类似封装），适用于空间受限的高密度PCB设计，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。 综上，TFZGTR8.2B因其稳定性和小型化设计，适合用于电压参考、电路保护和低功耗稳压等场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 500MW TUMD2稳压二极管 Diode Zener Single 7.985V 3% 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor TFZGTR8.2B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TFZGTR8.2B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 5V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | TUMD2 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | - |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | TUMD-2 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 电压容差 | 3 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
| 齐纳电压 | 8.1 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |
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