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详细数据请看参考数据手册
- 型号： TF252TH-4A-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TF252TH-4A-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF252TH-4A-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF252TH-4A-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TF252TH-4A-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TF252TH-4A-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TF252TH-4A-TL-H 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于电压控制型器件，常用于低噪声放大、模拟开关、信号调节等电路中。以下是其典型应用场景： 1. 低噪声前置放大器：该JFET具有低噪声特性，适用于音频设备、测量仪器和通信系统中的前置放大电路，以提高信号的信噪比。 2. 模拟开关与多路复用器：由于其良好的线性特性和较低的导通电阻，可用于模拟信号切换或构建多路复用电路。 3. 电源管理电路：在一些需要精确控制电流或电压的应用中，如恒流源、稳压电路中也可使用该器件。 4. 工业控制系统：在工业自动化设备中用于传感器信号处理、执行机构控制等场合。 5. 消费类电子产品：如音响设备、电视接收机、录音设备等中用于信号放大和处理。 该器件采用表面贴装封装（如SOT-23），适合高密度PCB布局，广泛应用于对性能和空间都有要求的电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MW |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TF252TH-4A-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 100mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 140µA @ 2V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.1pF @ 2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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