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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB24,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB24,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB24,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 20mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB24,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMB24,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMB24,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内含两个独立的 NPN 晶体管,每个均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ),实现内置偏置,无需外部偏置电路。该器件采用 SOT-363(SC-70-6)小型封装,具备低功耗、高可靠性与快速开关特性。 其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑接口电平转换:在微控制器(如ARM、PIC、ESP系列)与5V/3.3V外围器件间实现信号缓冲与驱动; 2. LED驱动电路:直接驱动小电流LED(≤100 mA),简化PCB设计,提升系统集成度; 3. 开关电源中的辅助控制:用于反馈回路中的光电耦合器驱动、PWM信号整形或使能/关断控制; 4. 传感器信号调理:配合霍尔传感器、接近开关等,构成简易信号放大或电平翻转电路; 5. 电池供电设备:得益于低待机电流(ICEO典型值仅1 nA)和宽工作电压范围(VCC = 1.0–20 V),适用于便携式IoT终端、无线模块及可穿戴设备。 该器件通过AEC-Q101认证(部分批次),亦适用于汽车电子中的车身控制模块(BCM)等非安全关键应用。其预偏置结构显著减少元件数量、提高装配良率,并增强温度稳定性与一致性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 DOUBLE RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB24,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMB24,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934058906115 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 20 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 20mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMB24 T/R |
| 频率-跃迁 | - |