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Datasheet下载- 型号： TDZ12J,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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TDZ12J,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TDZ12J,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TDZ12J,115价格参考。NXP SemiconductorsTDZ12J,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 12V 500mW ±2% Surface Mount SOD-323F。您可以下载TDZ12J,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TDZ12J,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TDZ12J,115 是 NXP USA Inc.（现属恩智浦半导体）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为12 V（容差±5%），功率为500 mW，采用SOD-123小型表面贴装封装。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器接口中，为ADC参考源、运放偏置或微控制器复位电路提供稳定12 V基准电压； - 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，钳位敏感IC（如MCU I/O口、通信接口）的输入电压，防止瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损坏； - 电源轨箝位：用于12 V电源系统（如汽车电子、工业控制板）中，吸收开关噪声或负载突变引起的电压尖峰； - 简单稳压电源：在小电流（≤30 mA）、低成本场合（如LED驱动偏置、继电器线圈续流保护辅助电路）中替代三端稳压器； - 温度补偿设计：该器件具有负温度系数（约−2.5 mV/°C），可与其他正温漂元件（如硅二极管）搭配，实现宽温区稳定基准。 需注意：TDZ12J,115 不适用于大电流或高精度稳压场景，设计时应确保功耗不超过额定值，并留足散热余量。典型应用需串联限流电阻以控制工作电流在安全范围内（推荐5–20 mA）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 500MW SOD323F稳压二极管 12.2V 8uA 10Ohm |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors TDZ12J,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TDZ12J,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 568-11294-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90，SOD-323F |
| 封装/箱体 | SOD-323F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 8 uA |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 电压温度系数 | 10 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
| 齐纳电压 | 12.2 V |
