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详细数据请看参考数据手册
- 型号： VDZT2R6.2B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VDZT2R6.2B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VDZT2R6.2B价格参考。ROHM SemiconductorVDZT2R6.2B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VDZT2R6.2B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VDZT2R6.2B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号 VDZT2R6.2B 是一款齐纳二极管（Zener Diode），属于单颗齐纳二极管类别。其主要功能是在电路中提供稳定的参考电压或实现电压钳位保护。 应用场景主要包括： 1. 电压参考源： VDZT2R6.2B 提供稳定6.2V的齐纳电压，常用于电源管理、ADC/DAC基准电压源等需要精准电压参考的小信号电路中。 2. 过压保护电路： 在敏感电子元件前使用该器件，可将输入电压钳制在安全范围内，防止因电压过高造成损坏，常见于接口保护和传感器保护电路。 3. 稳压电路设计： 适用于低功耗稳压场合，如电池供电设备、便携式电子产品中的局部稳压电路，确保系统电压稳定。 4. 信号调理电路： 在模拟信号处理中作为限幅器，限制信号幅度，防止后级电路过载或失真。 5. 嵌入式系统与工业控制： 广泛应用于工业仪表、自动化控制系统、通信设备中，为芯片供电或提供精确电压阈值检测。 该器件具有体积小、响应速度快、稳定性好等特点，适合高密度PCB布局及对可靠性要求较高的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.2V 100MW VMD2稳压二极管 100MW 6.2V VMD2 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor VDZT2R6.2B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VDZT2R6.2B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 3V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | VMD2 |
| 其它名称 | VDZT2R6.2BCT |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | VMD-2 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 60 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 电压容差 | 2 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 60 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.195 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |
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