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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5935B G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5935B G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5935B G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5935B G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5935B G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5935B G 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。齐纳二极管是一种特殊的半导体二极管,主要用于电压调节、稳压和电路保护等应用场景。以下是 1N5935B G 的一些典型应用场景: 1. 电压稳压 - 功能:齐纳二极管在反向击穿区工作时,可以保持稳定的电压输出,因此常用于稳压电路中。 - 应用场景:在电源电路中,1N5935B G 可以用来稳定某个特定的电压值,例如为敏感电子元件提供稳定的参考电压。 2. 电压基准 - 功能:齐纳二极管可以作为电压基准源,提供精确的参考电压。 - 应用场景:在模拟电路或数字电路中,1N5935B G 可以为运算放大器、比较器或其他需要精确电压基准的器件提供稳定的参考电压。 3. 过压保护 - 功能:当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并分流多余电流,从而保护后级电路。 - 应用场景:在信号传输线路中,1N5935B G 可以用作过压保护器件,防止瞬态高压损坏敏感设备。 4. 信号电平调整 - 功能:通过钳位作用,齐纳二极管可以将信号电压限制在一定范围内。 - 应用场景:在音频或射频电路中,1N5935B G 可以用来限制输入信号的幅值,避免过载或失真。 5. 浪涌抑制 - 功能:齐纳二极管能够吸收短时间内的高电压浪涌。 - 应用场景:在开关电源或电机驱动电路中,1N5935B G 可以用来抑制由于感性负载引起的电压浪涌。 参数特点: - 额定功率:1W - 齐纳电压:约36V(具体值可能因批次略有差异) - 最大工作电流:根据功率和电压计算得出 注意事项: - 在使用 1N5935B G 时,需确保其散热良好,特别是在大功率应用中。 - 需要根据实际电路需求选择合适的限流电阻,以保护齐纳二极管不被过流损坏。 总之,1N5935B G 齐纳二极管是一款性能稳定的通用型器件,适用于多种电压调节和保护场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 27V 1.25W DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10922-sa5-57-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5935B G |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 20.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41(DO-204AL) |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 27V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 23 欧姆 |