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  • 型号: 1N5935B G
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5935B G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5935B G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5935B G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5935B G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5935B G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5935B G 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。齐纳二极管是一种特殊的半导体二极管,主要用于电压调节、稳压和电路保护等应用场景。以下是 1N5935B G 的一些典型应用场景:

 1. 电压稳压
   - 功能:齐纳二极管在反向击穿区工作时,可以保持稳定的电压输出,因此常用于稳压电路中。
   - 应用场景:在电源电路中,1N5935B G 可以用来稳定某个特定的电压值,例如为敏感电子元件提供稳定的参考电压。

 2. 电压基准
   - 功能:齐纳二极管可以作为电压基准源,提供精确的参考电压。
   - 应用场景:在模拟电路或数字电路中,1N5935B G 可以为运算放大器、比较器或其他需要精确电压基准的器件提供稳定的参考电压。

 3. 过压保护
   - 功能:当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并分流多余电流,从而保护后级电路。
   - 应用场景:在信号传输线路中,1N5935B G 可以用作过压保护器件,防止瞬态高压损坏敏感设备。

 4. 信号电平调整
   - 功能:通过钳位作用,齐纳二极管可以将信号电压限制在一定范围内。
   - 应用场景:在音频或射频电路中,1N5935B G 可以用来限制输入信号的幅值,避免过载或失真。

 5. 浪涌抑制
   - 功能:齐纳二极管能够吸收短时间内的高电压浪涌。
   - 应用场景:在开关电源或电机驱动电路中,1N5935B G 可以用来抑制由于感性负载引起的电压浪涌。

 参数特点:
- 额定功率:1W
- 齐纳电压:约36V(具体值可能因批次略有差异)
- 最大工作电流:根据功率和电压计算得出

 注意事项:
- 在使用 1N5935B G 时,需确保其散热良好,特别是在大功率应用中。
- 需要根据实际电路需求选择合适的限流电阻,以保护齐纳二极管不被过流损坏。

总之,1N5935B G 齐纳二极管是一款性能稳定的通用型器件,适用于多种电压调节和保护场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 27V 1.25W DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10922-sa5-57-pdf

产品图片

产品型号

1N5935B G

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 20.6V

供应商器件封装

DO-41(DO-204AL)

功率-最大值

1.25W

包装

散装

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 175°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

27V

阻抗(最大值)(Zzt)

23 欧姆

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