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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5261BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5261BT1G价格参考¥0.10-¥0.14。ON SemiconductorMMSZ5261BT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ5261BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5261BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5261BT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,属于 MMSZ52 系列。该型号的齐纳电压为 7.5V,具有低动态阻抗和高浪涌能力,适用于多种电子电路中的稳压、限幅和保护功能。以下是其典型应用场景: 1. 电压稳压: MMSZ5261BT1G 可用于提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它能够将输出电压稳定在 7.5V 左右,确保后续电路在正常电压范围内工作。 2. 过压保护: 在敏感电子设备中,齐纳二极管可以用来防止过高电压对电路造成损害。当输入电压超过齐纳电压时,二极管导通并将电压钳位在安全范围内。 3. 信号电平调整: 在模拟信号处理电路中,齐纳二极管可用于限制信号幅度,避免信号超出预期范围。例如,在音频或传感器信号处理中,它可以防止信号过载。 4. 电源监控电路: 该器件可作为电压检测元件,与比较器配合使用,实现电源电压监测功能。当电源电压低于或高于设定值时,触发相应的保护机制。 5. ESD 保护: 虽然 MMSZ5261BT1G 不是专门设计的 ESD 保护器件,但其浪涌能力使其能够在某些情况下吸收瞬态静电放电,保护下游电路。 6. 基准电压源: 在需要精确电压参考的应用中,如 ADC 或 DAC 的基准电压输入,齐纳二极管可以提供稳定的电压参考。 7. 电池充电保护: 在简单的电池充电电路中,齐纳二极管可以用来设置最大充电电压,防止电池过充。 总结来说,MMSZ5261BT1G 凭借其 7.5V 的齐纳电压和优良的性能参数,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域,尤其是在需要稳压、限幅和保护功能的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 47V 500MW SOD123稳压二极管 47V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5261BT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ5261BT1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 36V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ5261BT1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 105 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 47V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ52 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 105 欧姆 |
| 齐纳电压 | 47 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |