Datasheet下载- 型号： BZT52H-C4V7,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C4V7,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C4V7,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C4V7,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZT52H-C4V7,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZT52H-C4V7,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BZT52H-C4V7,115 是一款表面贴装的齐纳二极管，标称齐纳电压为4.7V，功率为200mW，采用SOD323封装。该器件主要用于电压参考和电压钳位应用。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源管理电路，用于稳定低电压节点或保护敏感元件免受过压影响；在消费类电子产品（如耳机、USB接口设备）中作为ESD（静电放电）保护元件，防止瞬态电压损坏IC；在电池供电系统中提供精确的基准电压，用于比较器或稳压电路；也可用于信号线路的电压箝位，确保输入信号不超出安全范围。 由于其小尺寸封装和高可靠性，BZT52H-C4V7,115特别适用于空间受限且要求高性能的高密度PCB设计。此外，该器件符合AEC-Q101车规认证，因此也适用于汽车电子中的非动力总成系统，如车载信息娱乐系统、传感器模块和车身控制单元等对稳定性和耐用性要求较高的环境。 总之，该齐纳二极管广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域，是实现电压保护与稳压功能的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 375MW SOD123F稳压二极管 375MW 4.7V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C4V7,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52H-C4V7,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Diodes - Zener |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-3776-6 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 功率耗散 | 830 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 30 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 20.2 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 78 欧姆 |
| 零件号别名 | BZT52H-C4V7 T/R |
| 齐纳电压 | 4.7 V |
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