| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TCET1100G由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TCET1100G价格参考。VishayTCET1100G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TCET1100G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TCET1100G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Opto Division的TCET1100G是一款光隔离器,采用晶体管光电输出设计。它主要用于需要电气隔离和信号传输的应用场景中,特别是在工业自动化、电力电子和通信设备领域。 主要应用场景: 1. 工业控制系统:在PLC(可编程逻辑控制器)和其他工业自动化设备中,TCET1100G可以用于输入/输出接口的电气隔离,确保信号传输的同时避免噪声干扰和电位差引起的损坏。 2. 电力电子设备:如逆变器、变频器等电力转换设备中,TCET1100G可用于隔离控制电路与功率电路,防止高压侧对低压控制侧的影响,提高系统的安全性和可靠性。 3. 通信系统:在通信设备中,特别是涉及到长距离信号传输时,TCET1100G可以用于隔离不同电位的信号源,防止地线回路带来的干扰,确保数据传输的稳定性和准确性。 4. 医疗设备:在一些对安全性要求极高的医疗设备中,如心电图机、监护仪等,TCET1100G可以用于隔离患者与设备之间的电信号,确保患者的安全,同时保证信号的准确传输。 5. 汽车电子:在汽车电子系统中,TCET1100G可以用于隔离传感器信号与控制单元之间的连接,防止电磁干扰和电压波动对敏感电路的影响。 6. 智能家居与物联网:在智能家居和物联网设备中,TCET1100G可以用于隔离不同的通信模块或传感器节点,确保各部分之间的独立性和稳定性,避免相互干扰。 特点: - 高隔离电压:能够承受高达5000Vrms的隔离电压,适用于高压环境下的信号隔离。 - 快速响应时间:具有较短的响应时间,适合高速信号传输应用。 - 低功耗:工作电流较小,适合对功耗敏感的应用场景。 - 宽工作温度范围:能够在-40°C至+105°C的温度范围内稳定工作,适应各种恶劣环境。 总之,TCET1100G凭借其优异的电气隔离性能和广泛的适用性,在多个领域中发挥着重要作用,特别适合需要可靠信号传输和电气隔离的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 50-600% |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管,光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Opto DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Vishay Semiconductors TCET1100G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TCET1100GTCET1100G |
| Vce饱和值(最大值) | 300mV |
| 上升/下降时间(典型值) | 3µs, 4.7µs |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 4-DIP |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP(0.400",10.16mm) |
| 封装/箱体 | PDIP-4 |
| 工作温度 | -40°C ~ 100°C |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 打开/关闭时间(典型值) | 6µs, 5µs |
| 最大功率耗散 | 265 mW |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.6 V |
| 最大输入二极管电流 | 60 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 70 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.3 V |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)(典型值) | 1.25V |
| 电压-输出(最大值) | 70V |
| 电压-隔离 | 5000Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 60mA |
| 电流-输出/通道 | 50mA |
| 电流传输比(最大值) | 600% @ 5mA |
| 电流传输比(最小值) | 50% @ 5mA |
| 电流传递比 | 600 % |
| 绝缘电压 | 5000 Vrms |
| 输入类型 | DCDC |
| 输出类型 | DC晶体管 |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
| 配置 | 1 Channel |