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- 型号： T525B157M003ATE080
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供T525B157M003ATE080由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 T525B157M003ATE080价格参考。KemetT525B157M003ATE080封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载T525B157M003ATE080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有T525B157M003ATE080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
T525B157M003ATE080 是 KEMET（基美）品牌的一款钽聚合物电容器（属“钽 - 聚合物电容器”分类）。其参数为：150 µF / 3 V / ±20% 容差，ESR 典型值 80 mΩ，封装尺寸为 B 型（3.2 mm × 1.6 mm × 1.1 mm），符合 RoHS，适用于表面贴装。 该器件主要应用于对体积、低 ESR、高纹波电流承受能力及长期稳定性要求较高的中低压电源管理场景，典型包括： - 便携式电子设备的电源滤波：如智能手机、平板电脑、TWS耳机等主电源轨（如 SoC 核心供电、PMIC 输出端）的去耦与稳压； - DC-DC 转换器输出端：在降压（Buck）电路中作为输出电容，有效抑制高频开关噪声，提升动态响应与电压精度； - FPGA/CPU/ASIC 的局部去耦：靠近高功耗芯片布设，吸收瞬态电流，降低电源阻抗； - 工业与通信设备中的低压逻辑电源（如 1.2 V–3.3 V 系统），如基站小基站（Small Cell）、光模块、网络交换机板卡等。 其聚合物阴极结构相比传统二氧化锰钽电容，具备更优的安全性（无“热失控”风险）、更低 ESR、更高纹波电流耐受力及更长寿命，适合高温、高可靠性要求环境（工作温度范围 –55°C 至 +105°C）。不推荐用于存在反向电压、浪涌电流超标或高振动冲击的非稳态工况。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP TANT 150UF 3V 20% 1411 |
| ESR（等效串联电阻） | 80 毫欧 |
| 产品分类 | 钽 - 聚合物电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | T525B157M003ATE080 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | KO Cap T525 |
| 不同温度时的使用寿命 | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25571 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 其它名称 | 399-3265-1 |
| 制造商尺寸代码 | B |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 大小/尺寸 | 0.138" 长 x 0.110" 宽（3.50mm x 2.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | 1411（3528 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 特性 | 聚合物 |
| 电压-额定 | 3V |
| 电容 | 150µF |
| 类型 | 模制 |
| 高度-安装（最大值） | 0.079"（2.00mm） |
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