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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供Si8231BD-B-IS由Silicon Laboratories设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 Si8231BD-B-IS价格参考。Silicon LaboratoriesSi8231BD-B-IS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载Si8231BD-B-IS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有Si8231BD-B-IS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Silicon Labs的SI8231BD-B-IS是一款高性能的隔离式栅极驱动器,广泛应用于需要高可靠性和电气隔离的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电机控制 - 在工业自动化和家用电器中,用于驱动功率MOSFET或IGBT,实现对电机的高效控制。 - 提供电气隔离,保护控制电路免受高压影响,同时支持快速开关以提高效率。 2. 电源转换 - 应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器中,驱动高频功率开关器件。 - 提供可靠的信号隔离,确保初级和次级电路之间的安全运行。 3. 太阳能逆变器 - 在光伏系统中,用于驱动功率器件以实现高效的直流到交流转换。 - 其高共模瞬态抗扰度(CMTI)特性使其能够在嘈杂的电力环境中稳定工作。 4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV) - 用于驱动车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器中的功率器件。 - 高隔离电压和低传播延迟特性满足汽车级应用的严格要求。 5. 工业设备 - 在可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和其他工业设备中,提供安全的信号传输和功率驱动。 - 支持长寿命和高可靠性,适应恶劣的工作环境。 6. 医疗设备 - 在需要电气隔离的医疗设备中,如超声波设备、病人监护仪等,确保患者和操作人员的安全。 - 符合严格的医疗行业标准,提供可靠的性能。 核心优势: - 高隔离电压:支持高达3kVrms的隔离电压,确保安全性。 - 快速传播延迟:低至70ns的传播延迟,适合高速应用。 - 高CMTI:能够抵抗高达100kV/μs的共模瞬态干扰。 - 宽工作温度范围:适用于-40°C至125°C的环境,适应各种工况。 综上所述,SI8231BD-B-IS适用于需要高效、可靠和安全隔离的各种电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 16SOIC门驱动器 5kV 0.5A HS/LS Isolated Drvr PWM In |
| 产品分类 | 隔离器 - 栅极驱动器电源管理 IC |
| 品牌 | Silicon LabsSilicon Laboratories Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 门驱动器,Silicon Labs Si8231BD-B-IS- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8231BD-B-ISSi8231BD-B-IS |
| PulseWidthDistortion(Max) | 5.6ns |
| 上升/下降时间(典型值) | 20ns, 20ns (最小值) |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 产品 | Driver ICs - Various |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 传播延迟tpLH/tpHL(最大值) | 60ns, 60ns |
| 传播延迟时间 | 30 ns |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC W |
| 共模瞬态抗扰度(最小值) | 20kV/µs |
| 关闭 | Yes |
| 其它名称 | 336-1911-5 |
| 功率耗散 | 1.2 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 508.350 mg |
| 商标 | Silicon Labs |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-16 Wide |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 46 |
| 延迟时间 | 60ns |
| 技术 | 容性耦合 |
| 最大功率耗散 | 1.2 W |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 46 |
| 激励器数量 | 2 Driver |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/silabs/Si82xx.html |
| 电压-正向(Vf)(典型值) | - |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电压-隔离 | 5000Vrms |
| 电流-DC正向(If) | - |
| 电流-峰值 | 500mA |
| 电流-峰值输出 | - |
| 电流-输出高,低 | - |
| 电源电压-最大 | 24 V |
| 电源电压-最小 | 6.5 V |
| 电源电流 | 3.5 mA |
| 类型 | High Side/Low Side |
| 系列 | Si8231BD |
| 绝缘电压 | 2.5 kVrms |
| 脉宽失真(最大) | 5.6ns |
| 认可 | CQC, CSA, UR, VDE |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 输出电压 | +/- 0.04 V |
| 输出电流 | 0.5 A |
| 输出端数量 | 2 |
| 通道数 | 2 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 配置 | 高端和低端,独立High Side/Low Side |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | 1500V |