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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的SZBZX84C4V7ET1G是一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压:齐纳二极管的核心功能是提供稳定的参考电压。SZBZX84C4V7ET1G可用于电源电路中,确保负载电压稳定,特别是在低功率电路中作为简易稳压器。 2. 过压保护:该器件可以用于保护敏感电子元件免受瞬时高压的影响。例如,在输入端口或信号线路上使用齐纳二极管来限制电压峰值,防止损坏下游电路。 3. 信号电平转换:在需要将高电平信号转换为低电平信号的应用中,齐纳二极管可以通过钳位作用实现电平调整,适用于接口电路设计。 4. 基准电压源:由于其稳定的反向击穿特性,SZBZX84C4V7ET1G可以用作精密基准电压源,配合运放等器件构建更复杂的电路结构。 5. ESD防护:在一些对静电敏感的设备中,这款齐纳二极管可以用来吸收静电放电能量,减少对核心组件的危害。 6. 音频和射频电路中的应用:在某些音频放大器或射频模块中,齐纳二极管可能被用作偏置控制或频率调制的一部分,以维持特定的工作条件。 总之,SZBZX84C4V7ET1G凭借其4.7V的额定齐纳电压和较小的封装尺寸,适合各种便携式、消费类电子产品以及工业自动化系统中的电压调节与保护任务。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3 |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SZBZX84C4V7ET1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 2V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
容差 | ±6% |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.7V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |