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  • 型号: STS5DNF20V
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STS5DNF20V由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS5DNF20V价格参考。STMicroelectronicsSTS5DNF20V封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STS5DNF20V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STS5DNF20V 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOICMOSFET N-Ch 20 Volt 5 Amp

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STS5DNF20VSTripFET™ II

数据手册

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产品型号

STS5DNF20V

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

30 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

30 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

33 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

600mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

460pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

40 毫欧 @ 2.5A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

497-3229-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF64940?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

27 ns

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

85 mg

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

30 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

5 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A

系列

STS5DNF20V

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

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