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  • 型号: STL23NM50N
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STL23NM50N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL23NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTL23NM50N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STL23NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL23NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N CH 500V 14A PWRFLT 8X8MOSFET N-Ch 500V 0.170Ohm 14A pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

14 A

Id-连续漏极电流

14 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL23NM50NMDmesh™ II

数据手册

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产品型号

STL23NM50N

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

Qg-GateCharge

45 nC

Qg-栅极电荷

45 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

210 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

210 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

550 V

Vds-漏源极击穿电压

550 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

19 ns

下降时间

29 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1330pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

210 毫欧 @ 7A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerFlat™ (8x8) HV

其它名称

497-13449-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF252055?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

71 ns

功率-最大值

3W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

4-PowerFlat™ HV

封装/箱体

PowerFLAT-8 8x8 HV

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.8A (Ta), 14A (Tc)

系列

STL23NM50N

配置

Single

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