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  • 型号: STB150N3LH6
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB150N3LH6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB150N3LH6价格参考。STMicroelectronicsSTB150N3LH6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STB150N3LH6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB150N3LH6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N CH 30V 80A D2PAKMOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB150N3LH6DeepGATE™, STripFET™ VI

数据手册

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产品型号

STB150N3LH6

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

Qg-GateCharge

80 nC

Qg-栅极电荷

80 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

85 ns

下降时间

40 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

80nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 毫欧 @ 40A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263(D2Pak)

其它名称

497-13263-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF253885?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

110W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

STB150N3LH6

配置

Single

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