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  • 型号: SSM6J503NU,LF(T
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J503NU,LF(T由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J503NU,LF(T价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J503NU,LF(T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM6J503NU,LF(T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6J503NU,LF(T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J503NU

产品图片

产品型号

SSM6J503NU,LF(T

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

840pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12.8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

32.4 毫欧 @ 3A,4.5V

供应商器件封装

6-UDFN (2x2)

其它名称

SSM6J503NULF(TCT
SSM6J503NULFCT
SSM6J503NULFCT-ND

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/low-rdson-pchannel-mosfet/50146

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Ta)

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