Datasheet下载- 型号： SPB35N10 G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPB35N10 G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPB35N10 G价格参考。InfineonSPB35N10 G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPB35N10 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPB35N10 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的SPB35N10-G是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中高功率开关场景。其100V的漏源电压和35A的大电流能力，使其适用于需要高效能、低导通电阻和快速开关响应的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，实现高效的电能转换，提升系统能效。 2. 电机驱动：在工业控制、电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）的电机驱动电路中，作为开关元件控制电机启停与调速。 3. 照明系统：用于LED驱动电源，支持恒流输出和高效率工作，满足节能照明需求。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、车灯控制和辅助电机驱动等12V/24V车载应用，具备良好的可靠性和温度适应性。 5. 消费类电子：如充电器、适配器和电源插座中，提供紧凑、高效的开关解决方案。 SPB35N10-G采用TO-263（D²PAK）封装，具有优良的散热性能，适合表面贴装，便于自动化生产。其低栅极电荷和导通电阻（RDS(on)）有助于降低开关损耗和导通损耗，提升整体系统效率。综合来看，该器件适用于对效率、尺寸和可靠性要求较高的中高功率电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPB35N10.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42c4f8e46d3&fileId=db3a304412b407950112b42c4ffe46d4 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SPB35N10 G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 83µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 44 毫欧 @ 26.4A，10V |
| 供应商器件封装 | P-TO263-3 |
| 其它名称 | SP000102172 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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