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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美半导体)的SNSS35200MR6T1G是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。以下是其主要应用场景: 1. 开关电路 - 该型号的BJT适用于各种开关应用,例如继电器驱动、LED驱动和小型电机控制。由于其快速开关特性和低饱和电压,能够在高效能需求下实现稳定的开关功能。 2. 信号放大 - SNSS35200MR6T1G可用于音频信号放大器或其他低噪声放大场景。其高增益特性使其能够精确地放大输入信号,同时保持较低的失真率。 3. 电源管理 - 在电源管理领域,这款晶体管可以用于线性稳压器或电流调节电路中。它能够处理一定范围内的电流负载,并确保输出电压稳定。 4. 消费电子设备 - 常见于家用电器、遥控器、玩具和其他小型电子产品中,用作简单的控制或驱动元件。例如,在温度传感器电路中作为信号放大的核心组件。 5. 工业自动化 - 在工业环境中,该晶体管可用于传感器接口、逻辑电平转换以及小型执行器的驱动。它的耐用性和可靠性适合长期运行的工业应用。 6. 通信设备 - 能够在一些低功率射频(RF)前端模块中发挥作用,提供必要的信号增强能力,以满足通信系统的要求。 总之,SNSS35200MR6T1G凭借其优异的电气性能和稳定性,广泛应用于需要高效、可靠且经济实惠解决方案的各种电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SNSS35200MR6T1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 310mV @ 20mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1.5A,1.5V |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
晶体管类型 | PNP |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 35V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
频率-跃迁 | 100MHz |