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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SN74AUP1G08DRLR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SN74AUP1G08DRLR价格参考。Texas InstrumentsSN74AUP1G08DRLR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SN74AUP1G08DRLR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SN74AUP1G08DRLR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SN74AUP1G08DRLR 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款逻辑器件,属于“逻辑 - 栅极和逆变器”分类。其具体型号为 SN74AUP1G08,封装形式为 DRLR(小外形集成电路封装)。以下是该器件的主要应用场景: 1. 数字信号处理 - SN74AUP1G08DRLR 是一个单通道的三态 AND/NAND 门,适用于需要对数字信号进行逻辑运算的场景。它可以在系统中实现与(AND)或非与(NAND)功能,用于信号的控制、切换和处理。 2. 总线驱动与控制 - 该器件支持三态输出,这使其非常适合用在多主设备共享数据总线的系统中。通过启用或禁用输出,可以避免总线冲突,确保多个设备能够安全地共享同一总线。 3. 低功耗应用 - SN74AUP1G08 使用了 TI 的先进超低功耗工艺技术,适合对功耗敏感的应用场景,例如便携式电子设备、电池供电的系统等。 4. 高速逻辑电路 - 该器件的工作频率较高,能够在高速数字系统中提供可靠的逻辑运算能力,适用于通信设备、嵌入式控制器和其他需要快速响应的场景。 5. 工业自动化 - 在工业控制系统中,SN74AUP1G08DRLR 可以用于信号的逻辑判断和控制,例如传感器信号的处理、状态监测以及设备间的通信协调。 6. 消费电子产品 - 该器件常被用于消费类电子产品中,如家用电器、音频/视频设备等,用于实现基本的逻辑控制功能。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,SN74AUP1G08DRLR 可用于信号调理、电源管理模块中的逻辑控制,以及车载信息娱乐系统的信号处理。 总结 SN74AUP1G08DRLR 凭借其高性能、低功耗和可靠性,广泛应用于需要逻辑运算和信号控制的场景。无论是工业、消费还是汽车领域,这款器件都能提供稳定且高效的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC GATE AND 1CH 2-INP SOT-5逻辑门 Lo Pwr Sngl 2 Inpt Pos AND Gate |
产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器集成电路 - IC |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/sn74aup1g08 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,Texas Instruments SN74AUP1G08DRLR74AUP |
数据手册 | |
产品型号 | SN74AUP1G08DRLR |
PCN设计/规格 | |
不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 6.2ns @ 3.3V, 30pF |
产品 | AND |
产品目录页面 | |
产品种类 | 逻辑门 |
传播延迟时间 | 20.9 ns |
低电平输出电流 | 4 mA |
供应商器件封装 | SOT-5 |
其它名称 | 296-18650-1 |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 2.800 mg |
商标 | Texas Instruments |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-553 |
封装/箱体 | SOT-553-5 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
工厂包装数量 | 4000 |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极数量 | 1 Gate |
标准包装 | 1 |
特性 | 施密特触发器 |
电压-电源 | 0.8 V ~ 3.6 V |
电流-输出高,低 | 4mA,4mA |
电流-静态(最大值) | 0.5µA |
电源电压-最大 | 3.6 V |
电源电压-最小 | 0.8 V |
电路数 | 1 |
系列 | SN74AUP1G08 |
输入/输出线数量 | 2 / 1 |
输入数 | 2 |
输入线路数量 | 2 |
输出线路数量 | 1 |
逻辑电平-低 | 0.7 V ~ 0.9 V |
逻辑电平-高 | 1.6 V ~ 2 V |
逻辑类型 | 与门 |
逻辑系列 | 74AUP |
高电平输出电流 | - 4 mA |