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- 型号： SMJ61CD16LA-70JDM
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMJ61CD16LA-70JDM由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMJ61CD16LA-70JDM价格参考。Texas InstrumentsSMJ61CD16LA-70JDM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMJ61CD16LA-70JDM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMJ61CD16LA-70JDM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMJ61CD16LA-70JDM 是一款由 Microchip（原Microsemi）生产的军用级高性能静态随机存取存储器（SRAM），属于“品牌为-”（即无独立商业子品牌，归属Microchip旗下高可靠性产品线）、分类为存储器、型号明确的抗辐射加固（Rad-Hard）SRAM芯片。 其典型应用场景集中于极端可靠性和高辐射环境下的关键电子系统，主要包括： - 航天领域：地球同步轨道（GEO）、深空探测器（如火星车、木星探测器）的星载计算机、姿态控制系统（ADCS）、遥测数据缓存及FPGA配置存储； - 国防军工：军用卫星、弹载/星载制导计算机、雷达信号处理单元、电子战（EW）设备中的高速暂存缓冲； - 核能与高能物理：粒子加速器控制终端、核反应堆监控系统中需耐受中子/总剂量辐射的实时数据缓冲模块。 该器件采用陶瓷密封封装（JDM后缀代表JANTXV级军用标准），工作温度范围为–55°C 至 +125°C，具备抗单粒子翻转（SEU）、抗总剂量辐射（TID ≥ 100 krad(Si)）及抗中子位移损伤能力，读写速度达70 ns（-70后缀），容量为16 Mbit（2M×8）。因其高成本与严格筛选流程，不适用于民用消费类或工业温区场景。
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图文手册
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