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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMF18AT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMF18AT1G价格参考。ON SemiconductorSMF18AT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SMF18AT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMF18AT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMF18AT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于SMF系列(Small Outline Flat Lead),采用SOD-123封装,额定反向关断电压为18 V,击穿电压典型值约20 V,峰值脉冲功率为200 W(10/1000 μs波形)。 其主要应用场景包括: ✅ 电源输入端口保护:用于USB接口、DC输入(如适配器输入)、工业控制板等,防止雷击感应浪涌或开关噪声引起的瞬态过压(如IEC 61000-4-5 Level 2/3)。 ✅ 通信与数据线防护:适用于RS-232/RS-485收发器、CAN总线、低速信号线(如GPIO、按键、传感器接口),抑制ESD(符合IEC 61000-4-2 ±30 kV接触放电)及EFT(电快速瞬变)。 ✅ 汽车电子辅助系统:在12 V车载系统中(如车身控制模块、LED照明驱动、雨刷控制单元)提供负载突降(Load Dump)以外的次级过压防护(如抛负载后残余振荡、继电器开关尖峰)。 ✅ 消费类电子产品:智能手机/平板外围电路、打印机接口、机顶盒电源轨,兼顾小尺寸(SOD-123)与高可靠性需求。 注:SMF18AT1G为单向器件,仅适用于直流偏置明确、极性固定的线路;若需双向保护或更高耐量,需选其他型号(如P6SMB系列)。设计时应配合保险丝或限流电阻以满足失效安全要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 18VWM 29.2VC SOD123FLTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 18V 200W Unidirectional |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor SMF18AT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMF18AT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-123FL |
| 其它名称 | SMF18AT1GOS |
| 击穿电压 | 20 V |
| 功率-峰值脉冲 | 1000W (1kW) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123FL |
| 尺寸 | 1.65 mm W x 2.7 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 6.8 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 1 kW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 18 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿(最小值) | 20V |
| 电压-反向关态(典型值) | 18V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 29.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 6.8A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | SMF18A |
| 钳位电压 | 29.2 V |