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  • 型号: SIA462DJ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIA462DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA462DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA462DJ-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIA462DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA462DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6LMOSFET 30V 18mOhm@10V 12A N-Ch

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA462DJ-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIA462DJ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

19 W

Pd-功率耗散

19 W

Qg-GateCharge

5 nC

Qg-栅极电荷

5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

18 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

18 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.2 V to 2.4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V to 2.4 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

570pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 9A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SC-70-6 单

其它名称

SIA462DJ-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

19W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET Power MOSFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SC-70-6

封装/箱体

PowerPAK SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

35 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

系列

SIA4xxDJ

通道模式

Enhancement

配置

Single

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