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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SI9926DY
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9926DY由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9926DY价格参考。Fairchild SemiconductorSI9926DY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI9926DY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9926DY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI9926DY 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型MOSFET，采用SO-8封装，内部集成两个匹配的N沟道MOSFET（非单个，需注意：您描述中“MOSFET - 单个”有误——SI9926DY实为双通道器件）。其典型参数包括：VDS = 60 V，ID（连续）= 5.5 A（每通道），RDS(on) ≈ 45 mΩ（@ VGS = 10 V），具备低导通损耗与快速开关特性。 主要应用场景包括： ✅ 同步整流DC-DC转换器（如Buck、Boost拓扑）：双MOSFET结构便于构建高效同步整流级，替代肖特基二极管，提升电源效率； ✅ H桥电机驱动电路：两路独立N-MOSFET可组成半桥单元，配合外部驱动用于中小功率直流电机或步进电机控制； ✅ 负载开关与电源多路分配：支持独立使能控制，适用于便携设备中的模块化供电管理（如USB接口电源开关、背光/传感器供电）； ✅ 电池管理系统（BMS）保护电路：用于充放电路径控制及过流保护开关； ✅ LED驱动与智能照明控制：配合PWM调光实现高效恒流驱动。 该器件具备ESD保护、逻辑电平兼容（VGS(th)低至1–2.5 V），适合3.3 V/5 V微控制器直接驱动，广泛应用于消费电子、工业控制、通信电源及汽车电子（符合AEC-Q101可靠性标准，但需确认具体批次认证）等中低功率场景。 注：选型时请以官方数据手册为准，并注意其为双MOSFET，非单管型号。
产品参数
图文手册
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