Datasheet下载- 型号： SI4833ADY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4833ADY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4833ADY-T1-GE3价格参考。VishaySI4833ADY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4833ADY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4833ADY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4833ADY-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于高性能、低导通电阻的功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效能和小型化设计的电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低栅极电荷和优异的开关性能，适合高频开关应用。 主要应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理电路，用于DC-DC转换器、负载开关和电池电源切换，能够有效降低功耗并提升能效；在电源适配器、充电器和LED驱动电源中，作为同步整流或开关元件，提高整体转换效率；还可用于电机驱动、热插拔控制器及各类电源管理系统中，实现快速响应和低损耗控制。 SI4833ADY-T1-GE3 采用节省空间的PowerPAK SO-8封装，具备良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。其工作电压适中，导通电阻低，可在较宽温度范围内稳定运行，因此也适用于工业控制、消费类电子和通信设备中的功率开关场合。总体而言，该MOSFET以其高可靠性、高效能和紧凑封装，成为现代电子系统中理想的功率开关解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4833ADY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | LITTLE FOOT® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 72 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Tc） |
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