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  • 型号: SI3441DV
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3441DV由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3441DV价格参考。Fairchild SemiconductorSI3441DV封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3441DV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3441DV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SI3441DV 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET,采用小型双芯片 SOT-23-6(即 TSOP-6)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 7.5 nC)及快速开关特性。其额定电压为 –20 V,连续漏极电流达 –3.8 A(TA = 25°C),适用于低压、中等电流的高效功率控制场景。

典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、平板电脑、TWS 耳机中的负载开关(Load Switch),用于控制外设供电通断,实现低功耗待机与快速唤醒;  
✅ 电池保护电路:在单节锂离子/聚合物电池(2.5–4.2 V)系统中,作为充放电路径中的反向阻断或过流保护开关;  
✅ DC-DC 转换器同步整流:在降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)拓扑中,配合控制器实现高效率同步整流,提升轻载与重载效率;  
✅ LED 驱动与背光控制:用于中小功率 LED 的 PWM 调光开关,支持高频(>1 MHz)开关且损耗低;  
✅ 工业与消费类板级电源分配:如 FPGA、MCU 或传感器模块的独立供电域控制,满足空间受限与热设计要求。

该器件具备无铅(Pb-free)、符合 RoHS 及 AEC-Q101(可选车规版本)标准,兼顾可靠性与环保要求,广泛应用于对尺寸、效率和响应速度敏感的紧凑型电源系统中。
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