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  • 型号: SGR6N60UFTF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SGR6N60UFTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGR6N60UFTF价格参考。Fairchild SemiconductorSGR6N60UFTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SGR6N60UFTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SGR6N60UFTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FSC(Fairchild Semiconductor,现属ON Semiconductor)的型号SGR6N60UFTF是一款600V、6A的超结(Super Junction)N沟道功率MOSFET,采用TO-220F封装(带绝缘法兰),具有低导通电阻(Rds(on)典型值0.95Ω)、快速开关特性及良好雪崩耐量。

其典型应用场景包括:  
- 中小功率开关电源(SMPS):如PC电源、适配器、LED驱动电源中的主开关管,适用于反激(Flyback)、准谐振(QR)及有源钳位正激等拓扑;  
- LED照明驱动:用于可调光/高效率恒流驱动电路,支持PWM调光与高频工作;  
- 家电控制模块:如变频空调、洗衣机电机驱动的辅助电源或PFC后级开关;  
- 工业电源与UPS:在100–300W级DC-DC转换或后备电源中作为高效功率开关;  
- 电磁加热(如小功率IH电饭煲):配合全桥/半桥驱动实现高频功率输出(需注意驱动与散热设计)。

该器件强调高效率与可靠性,TO-220F封装便于绝缘安装与散热,适用于对电气隔离和温升敏感的紧凑型设计。不适用于IGBT典型场景(如大电流电机直驱),因其为MOSFET结构,更侧重高频、中低压(≤600V)、中等电流应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

15ns/60ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

25A

描述

IGBT 600V 6A 30W DPAK

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

15nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

SGR6N60UFTF

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

57µJ (开), 25µJ (关)

TestCondition

300V, 3A, 80 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.6V @ 15V,3A

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

30W

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,000

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

输入类型

标准

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品牌:Hirose Electric Co Ltd

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