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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SGB30N60
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SGB30N60由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGB30N60价格参考。InfineonSGB30N60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SGB30N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGB30N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SGB30N60 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的600V、30A单通道IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用TO-247封装，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=30A）、快速开关特性及内置续流二极管（部分版本含反并联快恢复二极管），适用于中高功率、中等频率的开关应用。 典型应用场景包括： • 工业变频器与电机驱动：用于三相逆变桥臂，驱动3–7.5kW交流异步或永磁同步电机，如空调压缩机、风机、泵类设备； • 不间断电源（UPS）：在在线式UPS的逆变级实现DC-AC高效转换，兼顾效率与热稳定性； • 感应加热与电磁炉：作为谐振变换器主开关器件，在20–50kHz频段下可靠工作； • 光伏逆变器：适用于中小功率组串式逆变器的升压或逆变环节（需配合合适驱动与散热设计）； • 焊接电源：在IGBT逆变焊机中承担主功率变换，满足脉冲电流与动态响应要求。 该器件不适用于极高频（>100kHz）或超低压降优先场景（此时SiC MOSFET更具优势），但凭借英飞凌成熟的TRENCHSTOP™技术，在成本、可靠性与易用性间取得良好平衡，广泛用于对性价比和成熟度要求较高的工业与家电领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 44ns/291ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 112A |
| 描述 | IGBT 600V 41A 250W TO263-3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 140nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SGB30N60_Rev2_3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42794233c6e |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SGB30N60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 1.29mJ |
| TestCondition | 400V, 30A, 11 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，30A |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | SGB30N60ATMA1 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 41A |
| 输入类型 | 标准 |
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