【未分类_SFT1403-TL-E】封装/厂家_SFT1403-TL-E中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： SFT1403-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SFT1403-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SFT1403-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanySFT1403-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SFT1403-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SFT1403-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SFT1403-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能射频N沟道MOSFET，专为高频、高效率射频功率放大应用优化。其典型应用场景包括：  
1. 蜂窝通信基站前端模块：适用于2G/3G/4G LTE频段（如700–2700 MHz）的末级或驱动级功率放大器（PA），具备高增益、高效率和良好线性度；  
2. 小基站（Small Cell）与分布式天线系统（DAS）：凭借紧凑的TSOP-6封装（SFT封装）、低热阻及优异的RF稳定性，适合空间受限、需中等输出功率（~1–5 W）的紧凑型射频系统；  
3. 无线基础设施中的宽带放大器：支持宽频带工作，适用于多频段共模PA设计及宽带射频信号放大；  
4. 工业与物联网射频设备：如RFID读写器、无线传感器网络节点、专用短程通信（DSRC）等对可靠性与温度稳定性要求较高的场景。  

该器件具有低栅极电荷（Qg）、快速开关特性、高fT（>9 GHz）及良好的热性能，支持连续波（CW）与调制信号（如OFDM、WCDMA）工作，且通过AEC-Q200认证，亦可用于车规级射频模块（如V2X通信）。需配合匹配网络与适当偏置电路使用，以实现最佳效率与谐波抑制。

产品参数图文手册常见问题