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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SCH2825-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SCH2825-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SCH2825-TL-E价格参考。ON SemiconductorSCH2825-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SCH2825-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SCH2825-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SCH2825-TL-E是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装SOT-23封装（尺寸约3.0×1.4×1.1 mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值为1.2Ω @ VGS=10V）、低栅极电荷（Qg≈3.5nC）及快速开关特性。其额定电压为30V，连续漏极电流达3.5A（TC=25°C），适合中低功率、空间受限的应用场景。 典型应用包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、摄像头闪光灯控制或USB接口过流保护开关； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中提升效率，降低热耗； ✅ 负载开关（Load Switch）：用于MCU或PMIC控制的外设供电启停，实现低静态电流待机与快速响应； ✅ 电机驱动与继电器替代：驱动微型直流电机（如振动马达）、电磁阀或小功率继电器线圈，支持PWM调速； ✅ 电池保护电路：配合保护IC实现充放电路径控制或过流切断功能（需注意其30V耐压适用于单节锂电系统）。 该器件强调高集成度与能效，不适用于高压、大电流或高散热要求场景（如主电源开关或工业电机驱动）。设计时建议优化PCB铜箔散热，并确保栅极驱动电压稳定（推荐≥4.5V以充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH/DIODE SCHOTTKY SCH6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SCH2825-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 88pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 800mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-SCH |
| 其它名称 | 869-1197-1 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
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