图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： SBE818-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SBE818-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBE818-TL-E价格参考。ON SemiconductorSBE818-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SBE818-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SBE818-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SBE818-TL-E 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的肖特基势垒二极管阵列（双共阴极结构），属于“二极管 - 整流器 - 阵列”类别。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）次级整流：凭借低正向压降（VF ≈ 0.55V @ IF=4A）和快速开关特性，显著提升DC-DC转换效率，降低温升，适用于AC-DC适配器、LED驱动电源等。 - DC/DC同步整流模块：常用于Buck、Flyback等拓扑的低压大电流输出端，替代传统快恢复二极管，减少导通损耗。 - 便携式电子设备电源管理：如笔记本电脑、平板电脑、机顶盒等对能效与空间敏感的设备中，用于多路供电轨的整流与反向电压保护。 - 电池供电系统防反接与路径管理：利用其低VF和阵列封装（SOP-8），可实现双路独立整流或冗余电源切换，兼顾紧凑布局与可靠性。 - 工业控制与通信设备电源：在PoE（以太网供电）、基站电源模块等需高可靠性、宽工作温度范围（-40℃~+150℃）的场景中稳定运行。 该器件采用无铅环保封装（TL-E后缀表示符合RoHS/REACH），具备优异的热性能与雪崩耐量，适合高密度PCB设计。注意：实际应用中需配合合理散热设计及输入滤波，避免浪涌电流冲击。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 2A 8EMH肖特基二极管与整流器 SBD DUAL PARALLEL 2A 30V |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor SBE818-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SBE818-TL-E |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 620mV @ 2A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 7.5µA @ 15V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 2 个独立式 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | 8-EMH |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 10ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | EMH-8 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 7.5 uA |
| 最大浪涌电流 | 20 A |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.53 V |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 2A |
| 系列 | SBE818 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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