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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SB1003M3-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SB1003M3-TL-E价格参考。ON SemiconductorSB1003M3-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SB1003M3-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SB1003M3-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的SB1003M3-TL-E是一款表面贴装(SMD)肖特基势垒整流二极管,额定电流1A、反向重复峰值电压30V,采用SOD-123FL封装。其低正向压降(典型值0.45V @ 1A)和快速开关特性(反向恢复时间极短,近乎零),使其特别适用于低压、高效率直流电源系统。 典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS)次级整流:在AC-DC适配器、USB充电器、LED驱动电源中,用于将高频变压器输出的低压交流整流为直流,提升转换效率并减少发热; 2. DC-DC变换器:在Buck、Boost等拓扑中作同步整流或续流二极管,尤其适用于5V/3.3V等低压输入输出系统; 3. 电池供电设备:如便携式仪器、IoT终端、蓝牙模块等,利用其低VF降低功耗,延长电池寿命; 4. 反向极性保护电路:串联于电源输入端,防止因电池或电源接反而损坏后级电路; 5. 待机电源与辅助电源回路:在主电源关闭时维持微控制器或RTC供电,要求低漏电流(IR < 100μA @ 25°C)和高可靠性。 该器件符合AEC-Q101汽车级标准(注:SB1003M3-TL-E为工业级,非车规;若需车规请确认具体型号后缀),具备良好热稳定性与ESD防护能力,适用于空间受限、对能效和响应速度有较高要求的消费电子及工业控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 1A 3MCPH肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY DIODE 1A 30V |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor SB1003M3-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SB1003M3-TL-E |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 530mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 27pF @ 10V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 15µA @ 16V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | 10ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | MCPH-3 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度-结 | 125°C (最大) |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 10 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 15 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.48 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 30V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 系列 | SB1003M3 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |