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  • 型号: S1ZP6SMB36AT3
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供S1ZP6SMB36AT3由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 S1ZP6SMB36AT3价格参考。ON SemiconductorS1ZP6SMB36AT3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载S1ZP6SMB36AT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有S1ZP6SMB36AT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

S1ZP6SMB36AT3 是安森美(ON Semiconductor)推出的单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,采用SMB(DO-214AA)封装,击穿电压标称值为36 V(最小33.8 V,典型35.3 V),最大钳位电压约58.1 V(在10.3 A峰值脉冲电流下),峰值脉冲功率为600 W(10/1000 μs波形)。

该器件主要用于电路板级的静电放电(ESD)防护和瞬态过压保护,典型应用场景包括:  
- 直流电源输入端口保护(如工业控制模块、安防设备、POS终端的12–48 V供电接口),防止雷击感应浪涌或开关噪声引起的瞬态高压;  
- 通信接口防护(如RS-232/485、CAN总线等低速信号线),配合共模扼流圈或限流电阻使用,提升系统EMC抗扰度;  
- 汽车电子辅助系统(符合AEC-Q101认证,适用于车载导航、车身控制模块等12 V/24 V系统中的非安全关键节点);  
- 消费类电源适配器与充电器次级侧输出端,防止反向电压或负载突变导致的电压尖峰损坏后级LDO或MCU。

其单向结构适用于有明确直流偏置(如正电源轨对地)的场景,需注意阴极接被保护线路、阳极接地。SMB封装兼顾散热性与贴装密度,适合中高功率等级的板级防护需求。
产品参数 图文手册 常见问题
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