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  • 型号: RV2C001ZPT2L
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RV2C001ZPT2L由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RV2C001ZPT2L价格参考。ROHM SemiconductorRV2C001ZPT2L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RV2C001ZPT2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RV2C001ZPT2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RV2C001ZPT2L 是罗姆(ROHM)半导体推出的P沟道增强型MOSFET,采用小型TSMT3封装(尺寸仅1.6×1.6×0.7 mm),具有低导通电阻(RDS(on) ≤ 150 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 0.9 nC)和快速开关特性。其额定电压为−20 V,连续漏极电流达−0.5 A(Ta = 85°C),适合低压、小功率、空间受限的应用场景。

典型应用包括:  
✅ 便携式电子设备的负载开关——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的电源管理模块,用于控制传感器、LED或无线模块的供电通断,实现低功耗待机;  
✅ 电池供电系统的反向电流保护与电源路径管理——在单节锂电(2.5–4.2 V)系统中,配合N-MOSFET构成高效ORing电路或充电/放电路径切换;  
✅ DC-DC转换器的同步整流——在微型降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)转换器中作为同步整流管,提升轻载效率;  
✅ H桥驱动中的高边开关(需搭配电平移位)——适用于微型电机(如振动马达、小风扇)或电磁阀的低功耗驱动;  
✅ IoT终端节点的信号级开关与逻辑电平转换——利用其低阈值电压(VGS(th) ≈ −0.5 to −1.2 V)兼容1.8 V/3.3 V MCU GPIO直接驱动。

该器件强调高可靠性、AEC-Q200兼容性(符合车载环境基础要求)及无卤素环保设计,亦适用于工业传感器、医疗贴片设备等对尺寸、功耗和长期稳定性有严苛要求的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
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