Datasheet下载- 型号： RP1E125XNTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1E125XNTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1E125XNTR价格参考。ROHM SemiconductorRP1E125XNTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RP1E125XNTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RP1E125XNTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP1E125XNTR 是罗姆（ROHM）半导体推出的N沟道功率MOSFET，采用小型TSMT6封装（2.9mm × 2.8mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 12.5mΩ @ VGS = 10V）、高开关速度和优异的热性能。其额定电压为30V，连续漏极电流达12A（Tc=25°C），适合中低压、中功率应用。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换器：广泛用于同步整流BUCK/BOOST电路，提升转换效率（尤其在便携设备、USB PD充电器中）； ✅ 电机驱动：适用于小型直流电机、步进电机的H桥或单路驱动（如无人机云台、智能家电、电动工具控制模块）； ✅ 负载开关与电源管理：在电池供电设备（TWS耳机充电仓、可穿戴设备、IoT传感器节点）中作为高效、低静态功耗的电源通断开关； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小功率LED恒流驱动或PWM调光开关； ✅ 工业与汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证；RP1E125XNTR为工业级，部分版本支持车规应用），可用于车身控制模块（BCM）、LED灯控等非安全关键场景。 其小尺寸、低RDS(on)及强散热能力（封装底部裸焊盘优化热传导），特别适合空间受限且对能效敏感的便携式与嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RP1E125XNTR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | RP1E125XNTRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12.5A （Ta） |
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