图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： RN4605(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RN4605(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RN4605(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RN4605(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RN4605(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RN4605(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RN4605(TE85L,F)，品牌为 Toshiba Semiconductor and Storage 的晶体管属于 双极型晶体管（BJT）阵列 - 预偏置类型，其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理和开关电路：该器件适用于需要高效控制电流流向的电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关等。 2. 工业自动化设备：可用于工业控制系统中的信号处理与驱动电路，实现对继电器、传感器和执行器的控制。 3. 通信设备：在通信模块中用于信号放大或切换功能，例如基站设备、路由器和交换机中的接口电路。 4. 汽车电子系统：适合用于车载控制单元（ECU）、车灯控制、电机驱动以及车载充电系统等对稳定性和可靠性要求较高的场景。 5. 消费类电子产品：如智能家电、数码产品中的小型马达驱动、LED背光控制及按键检测电路等。 该预偏置BJT阵列设计有助于简化外围电路、减小PCB面积并提升系统稳定性，适合高密度、低功耗应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRAN DUAL PNP/NPN SM6 -50V -100A开关晶体管 - 偏压电阻器 Gen Trans PNP x 2 SM6, -50V, -100A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1381770&lineid=52&subcategoryid=46&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Toshiba RN4605(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4605 |
| 产品型号 | RN4605(TE85L,F)RN4605(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SM6 |
| 其它名称 | RN4605(TE85LF)DKR |
| 典型电阻器比率 | 0.0468 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SM-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 250 MHz (Typ) |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
