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产品简介:
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Renesas Electronics America的R1LV1616RSD-7SI#B0是一款低功耗、高性能的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为16Mbit(2MB),组织形式为1M x16。该器件具有高速访问时间、低功耗设计,适用于对性能和功耗均有较高要求的应用场景。 典型应用场景包括: 1. 工业自动化设备:用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机、数据采集系统等,作为高速缓存或临时数据存储。 2. 通信设备:应用于路由器、交换机、基站等通信基础设施,用于存储临时数据、缓冲通信流量。 3. 医疗设备:如便携式诊断设备、监护仪等,对数据读写速度和稳定性要求较高的场合。 4. 汽车电子系统:包括车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统等,适用于对可靠性和环境适应性要求高的汽车应用。 5. 测试与测量仪器:如示波器、逻辑分析仪等,用于快速存储和读取测试数据。 该SRAM采用高性能CMOS工艺制造,具有宽温度范围(-40℃至+85℃),适用于工业级环境,且封装形式为TSOP,便于在各种高密度电路板中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 16MBIT 70NS 52TSOP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | R1LV1616RSD-7SI#B0 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 52-TSOP II |
其它名称 | R1LV1616RSD7SI#B0 |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SRAM |
存储容量 | 16M(2M x 8,1M x 16) |
封装/外壳 | 52-TFSOP(0.350",8.89mm 宽) |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 230 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
速度 | 70ns |