Datasheet下载- 型号： R1LV0816ABG-5SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0816ABG-5SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0816ABG-5SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0816ABG-5SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0816ABG-5SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0816ABG-5SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV0816ABG-5SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为8 Mbit（1M × 8位），工作电压为3.3V，访问时间仅5ns，采用48球FBGA封装（6mm × 8mm），支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并具备待机功耗极低（典型值<1μA）等特性。 其典型应用场景包括： - 工业自动化设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI人机界面、运动控制器等需高可靠性、抗干扰及宽温运行的嵌入式系统； - 通信基础设施：用于网络交换机、路由器、基站中的缓存/缓冲存储，满足高速数据暂存与低延迟读写需求； - 汽车电子：适用于车载信息娱乐系统（IVI）、ADAS辅助模块中对功能安全（AEC-Q100未直接认证，但工业级版本常被车规设计采纳）和长期稳定运行有要求的非安全关键缓存应用； - 医疗电子设备：如便携式监护仪、影像处理终端等，依赖其低功耗与快速响应特性延长电池寿命并保障实时性； - 高端消费电子与测试仪器：例如数字示波器、逻辑分析仪的数据采集缓存，以及需要零等待状态高速访问的FPGA协处理器本地内存。 该器件不适用于需掉电数据保持的场景（非EEPROM/Flash），亦非大容量主存方案，而是面向对速度、功耗与稳定性高度敏感的中小容量高速缓存或暂存应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 55NS 48CSP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0816ABG-5SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-CSP（7.5x8.5） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 8M（512K x 16） |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA，CSPBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 55ns |
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