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产品简介:
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Renesas Electronics America的R1LV0816ABG-5SI#B0是一款低功耗、高性能的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为8Mbit(512K × 16位),采用高速55ns访问时间设计,工作电压为3.3V。该型号属于并行接口SRAM,具有高可靠性和稳定性,适用于对数据读写速度和实时性要求较高的应用场景。 其主要应用场景包括:工业自动化控制设备中的缓存存储,如PLC(可编程逻辑控制器)和工控机;网络通信设备,如路由器、交换机中的数据缓冲;医疗电子设备中用于快速数据采集与处理;以及测试测量仪器中的临时数据存储。此外,该器件也广泛用于需要非易失性存储支持或电池备份系统的场合,例如POS终端、嵌入式系统和智能仪表等。 R1LV0816ABG-5SI#B0具备良好的温度适应性,可在工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)稳定运行,适合严苛环境下的应用。其小型化封装(TSOP-II)有助于节省PCB空间,适用于紧凑型电子产品设计。由于其高速、低功耗和高可靠性特点,该SRAM在替代老旧SRAM型号或升级现有系统时具有较高兼容性和实用性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 8MBIT 55NS 48CSP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Renesas Electronics America |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | R1LV0816ABG-5SI#B0 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 48-CSP(7.5x8.5) |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SRAM |
存储容量 | 8M(512K x 16) |
封装/外壳 | 48-TFBGA,CSPBGA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
速度 | 55ns |