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- 型号： R1LV0808ASB-7SI#S0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0808ASB-7SI#S0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0808ASB-7SI#S0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0808ASB-7SI#S0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0808ASB-7SI#S0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0808ASB-7SI#S0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV0808ASB-7SI#S0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低电压、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为8 Mbit（1M × 8位），工作电压为2.2V–3.6V，访问时间典型值为7ns，采用48-pin TSOP II封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），并符合无铅（Pb-free）和RoHS标准。 该器件主要面向对可靠性、低功耗与快速响应有较高要求的工业及嵌入式应用场景。典型应用包括：工业自动化控制器（如PLC、HMI人机界面）中的高速缓存或临时数据缓冲；通信设备（如路由器、交换机、基站接口模块）中用于帧缓存或协议处理的暂存区；医疗电子设备（如便携式监护仪、影像采集前端）中需稳定运行与宽温特性的数据暂存；以及汽车电子中的车身控制模块（BCM）、ADAS辅助系统中非安全关键路径的实时数据缓存（需配合AEC-Q100认证设计时注意：本型号为工业级，非车规，若用于车载需额外评估或选用车规型号）。 其低功耗特性亦适用于电池供电的智能传感器节点或边缘计算终端。需注意：该SRAM为异步接口，无内置刷新电路，适用于需要确定性低延迟读写且主控可提供稳定时序控制的系统。不适用于需大容量、掉电保存或高密度集成的场景（应选Flash/DRAM等替代方案）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 70NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | R1LV0808ASB-7SI#S0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 8M（1M x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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