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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0108ESN-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0108ESN-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0108ESN-7SI#B0封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载R1LV0108ESN-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有R1LV0108ESN-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America 的 R1LV0108ESN-7SI#B0 是一款低功耗、高速的静态随机存取存储器(SRAM),容量为1M x 8位(8Mb),工作电压为3.3V,采用高性能CMOS技术制造。该型号封装为48-pin TSOP,具备稳定的读写性能和宽温工作范围,适用于对可靠性要求较高的工业与嵌入式系统。 其典型应用场景包括:工业控制设备,如PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和自动化控制系统,用于临时存储运行数据和缓存程序;网络通信设备,如路由器、交换机和基站模块,作为数据缓冲存储器以提升处理效率;消费类电子产品,例如打印机、多功能办公设备和高端家电,支持快速响应和稳定运行;此外,也广泛应用于医疗仪器、测试测量设备及车载电子系统中,满足严苛环境下的长期稳定工作需求。 由于其低功耗特性和高抗干扰能力,R1LV0108ESN-7SI#B0 特别适合需要持续运行且对数据完整性要求高的场合。同时,该器件符合环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品设计。总体而言,这款SRAM在中高端嵌入式系统中扮演着关键的数据暂存角色,保障系统高效、可靠运行。