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- 型号： R1LV0108ESN-7SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0108ESN-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0108ESN-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0108ESN-7SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0108ESN-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0108ESN-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV0108ESN-7SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低电压、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为1Mb（128K × 8位），工作电压为2.2V–3.6V，访问时间典型值为7ns，采用44引脚TSOP II封装。 该器件主要面向对功耗敏感、需快速读写且要求高可靠性的嵌入式应用场景。典型应用包括：工业控制设备（如PLC、HMI人机界面）中的缓存与临时数据存储；网络通信设备（如交换机、路由器）中的包缓冲和寄存器映射内存；汽车电子中的车身控制模块（BCM）、仪表盘显示控制器等符合AEC-Q100 Grade 2（–40°C 至 +105°C）的车载应用（注：需确认具体批次是否通过车规认证，该型号标称工业级，但部分版本可满足车规要求）；医疗电子设备（如便携式监护仪）中实时信号处理的高速暂存；以及消费类设备（如高端打印机、数字相机）的图像缓冲与固件运行空间。 其低功耗特性（待机电流低至1μA）适合电池供电或能效严苛的系统；无刷新、非易失性后备（配合外部电源管理）设计简化了系统架构。不适用于大容量数据持久化存储（非Flash/EEPROM），也不支持字节写保护等高级功能，定位为通用高性能SRAM替代方案。
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