Datasheet下载- 型号： R1LV0108ESF-7SI#B0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供R1LV0108ESF-7SI#B0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R1LV0108ESF-7SI#B0价格参考。RENESAS ELECTRONICSR1LV0108ESF-7SI#B0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载R1LV0108ESF-7SI#B0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有R1LV0108ESF-7SI#B0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
R1LV0108ESF-7SI#B0 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款低电压、高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为1Mb（128K × 8位），工作电压为2.2V–3.6V，访问时间典型值为7ns，采用44-pin TSOP II封装。 该器件主要面向对功耗敏感、需快速读写响应且空间受限的嵌入式应用。典型应用场景包括：工业控制设备（如PLC模块、人机界面HMI）中的缓存与临时数据存储；通信设备（如路由器、交换机、基站接口卡）中用于帧缓冲或协议处理的高速暂存；汽车电子中的车身控制模块（BCM）、仪表盘显示控制器等符合AEC-Q100 Grade 2（–40°C 至 +105°C）温度要求的车载系统；以及医疗电子设备（如便携式监护仪、超声前端模块）中对可靠性和低功耗有严格要求的数据暂存环节。 其低功耗特性（待机电流典型值仅1μA）和宽温工作能力，使其特别适用于电池供电或高温环境下的实时系统。需注意：该型号已列入瑞萨的“Not Recommended for New Designs（NRND）”列表，建议新设计优先选用其替代型号（如R1LV0108ESF-7SI#S0或更新的低功耗SRAM系列），以确保长期供货与技术支持。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 70NS 32TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LV0108ESF-7SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-TSOP（8x20） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |
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