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产品简介:
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Renesas Electronics America的R1LV0108ESF-7SI#B0是一款低功耗、高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为1兆位(128K × 8位),工作电压为3.3V,访问时间典型值为70纳秒。该型号采用44引脚SOP或小型封装,适合对空间和功耗敏感的应用场景。 该SRAM广泛应用于需要快速数据读写和高可靠性的嵌入式系统中,如工业控制设备、网络通信设备(路由器、交换机)、打印机、医疗仪器以及汽车电子模块等。由于其稳定的性能和宽温工作范围,也适用于较为严苛的工业环境。 R1LV0108ESF-7SI#B0特别适合替代旧款低密度DRAM或异步SRAM,在不牺牲速度的前提下降低系统功耗,提升能效。此外,其标准接口设计便于与多种微控制器、DSP或ASIC无缝连接,简化系统设计与升级。 综上,该器件主要应用于工业自动化、通信基础设施、车载电子及消费类高端设备中,适用于需要可靠、快速、低功耗存储解决方案的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 70NS 32TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | R1LV0108ESF-7SI#B0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 32-TSOP(8x20) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM |
| 存储容量 | 1M (128K x 8) |
| 封装/外壳 | 32-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 70ns |